TMA原料によるanatase-TiO2膜への酸素欠損導入のメカニズムの解明

山本 逸平さん(応用化学専攻2年)
山本 逸平さん(応用化学専攻2年)

半導体デバイスが縮小する中、従来の成膜方法では制御が困難であった原子層一層ごとの堆積法であるAtomic Layer Deposition(ALD)法が発展している。

そこで山本さんは、ALD法によって酸化チタン膜上にトリメチルアルミニウム原料を導入し、酸化チタン膜中に酸素の欠損を導入することで、余剰電子を生成し、絶縁体から導電体に変化させることができる新技術を開発している。

今後の目標について山本さんは「この研究をすぐに社会で生かすことはできませんが、そのための一歩となれば嬉しいです。今後も一歩ずつ研究を進めていきたいと思います」と話した。

<指導教員:大石 知司 教授(応用化学科)>