ショートドロップチューブプロセスを用いたInSb 単結晶微粒子創製

ドロップチューブ法は球状微粒子の大量生成に適した手法であるが、単結晶半導体を効率良く得る方法は確立されていない。そこで新井さんは研究で、InSbに対し種々の第3元素を添加した際の微細構造の変化を調査するとともに、InSb単結晶微粒子を作製することを目的とした。

具体的には、ドロップチューブを用いた無容器環境において、III-V族化合物半導体の一種であるInSbの融液からの結晶成長について調査した。InSb 2元系では、本プロセスに起因する過冷却の影響による多結晶化が避けられないが、Feを少量添加し、試料内に微細結晶を導入することにより、母相のInSbがほぼ単結晶構造となることが認められた。

受賞に際して新井さんは、「日頃より熱心に御指導いただいた永山先生をはじめ、発表に際して多くの助言を下さった研究室の皆さんのおかげで今回の賞を頂くことができました。ありがとうございました」と話した。

<指導教員:永山 勝久教授 (材料工学科)>