吉田 有佑 さんが情報処理学会 システムとLSIの設計技術研究会においてSLDM研究会優秀発表学生賞を受賞しました。

【受賞者】吉田 有佑 さん(電気電子情報工学専攻 2年)
【指導教員】宇佐美 公良 教授(情報工学科)
【発表題目】薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装

近年IoTが注目される一方で、これらを構成する、ワイヤレスセンサ向けの半導体チップは、太陽光発電などの環境発電を利用した、バッテリーレスでの動作が求められるため、更なる消費エネルギーの低減が必要とされる。消費エネルギーを低減するためには、動作電圧を下げることが最も有効な手段である一方で、一般的なCPUチップ上のメモリ集積回路は、超低電圧下で安定した動作を行なうことが困難となっている。よって、本研究は超低電圧で動作可能な低消費電力オンチップメモリの実現を目的とした。

本研究では超低電圧動作と漏れ電流の低減を実現する提案手法を適用した、スタンダードセルメモリ(SCM)という新しいメモリ方式を提案した。さらにこのSCMを自動ツールによって実装する設計手法の提案により、300mVという超低電圧で動作可能な低消費電力メモリを容易に実現できるようになった。

現在、このSCMを実現した試作LSIチップの製造を企業に依頼しており、今後は製造された実チップで測定を行なう予定である。